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半导体行业观察第一站
台积电、中芯国际、新加坡特许半导体(Chartered Semiconductor)相继举行财务报告会，会中65纳米工艺进展成为外界关注技术发展的焦点之一。台积电于财务报告会时指出，台积电2007年第四季度65纳米工艺产能将比第一季度增长16倍，令外界惊艳；同时，新加坡特许65纳米工艺本季度将占其营收5%，领先同业，为超微(AMD)代工的Barcelona
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42308-10
英特尔第一款采用65纳米工艺生产的处理器芯片将在今年年底推出，并且将在2006年第一季度开始大批量出货。然而，英特尔日前预测称，该公司的65纳米芯片产量将在2006年第三季度超过90纳米芯片的产量。英特尔的第一款65纳米芯片将是代号为“Yonah”的处理器。“Yonah”是英特尔下一代奔腾M处理器，将与代号为“Napa”的第三代迅驰平台一起推出。“Yonah”在目前的“Dot
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29108-10
据了解，与前一代90nmFPGA相比，Virtex-5系列平台的速度平均提高30%，容量增加65%，同时动态功耗降低35%，静态功耗则保持相同的低水平。而就在同日，Xilinx的
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78808-10
4月20日早间消息，台积电近期与客户洽谈下半年代工价格，占营收最大宗的65纳米，因产能持续短缺，原本下季应该降价5%，但现在取消，形同变相涨价。分析师认为，65纳米变相涨价，将导致台积电营收随之攀升。
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81708-10
瑞萨科技公司(RenesasTechnology)日前与Grandis达成协议，将共同开发采用自旋转移写入技术的65nm工艺磁性随机存取存储器(MRAM)。瑞萨科技将在不久的将来开始供应采用65nm工艺STT-RAM的微型机和SoC产品。瑞萨科技公司生产和技术部代理执行总经理TadashiNishimura表示：“我们目前正在开发采用高速和高可靠性的传统磁场数据写入技术3的MRAM技术。我们计划在微型机和带有片上存储器的SoC器件等产品中使用这种技术。尽管如此,考虑到诸
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62708-10
英特尔日前展示了全功能70MB静态随机存取内存(SRAM)芯片，该芯片是运用全球最先进的65纳米(nm)制程技术生产，英特尔还称，仍延续每18个月至24个月开发新制程技术的惯例，符合摩尔定律的预测。由于Intel今年以来频频延后新技术得推出，因此分析人士认为，Intel在65纳米制程转换上是否面临更多难题。新科技的亮相有助于澄清市场疑虑。
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据报道，英特尔已经建成一条使用65纳米生产工艺的全功能SRAM内存芯片生产线。65纳米生产工艺是英特尔下一代高产量的生产工艺。英特尔高级副总裁兼技术和生产事业部总经理SunlinChou称，这个成就使英特尔65纳米技术进入快速发展的道路，将英特尔已经有15年记录的每两年升级到下一代新工艺的历史继续延续下去。
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赛普拉斯日前宣布，该公司在业界率先推出采用65纳米线宽的QuadDataRate(QDR)和DoubleDataRate(DDR)SRAM器件样品。
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从事半导体晶片及微电子系统反向还原工程及分析的Chipworks公司近日宣布，已分析Xilinx公司采用65纳米工艺的XC5VLX50Virtex-5FPGA两个元件样本。其中一款元件由数字消费市场65纳米技术的领导厂商日本东芝公司制造；而另一款元件则由另一业界先锋台湾联华电子制造，也是Xilinx过去10多年来的主要晶圆代工伙伴。Chipworks现已开始接受客户订
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28508-10
据台湾Digitimes网站消息，联电14日召开第一季度财务报告会，公司新任董事长暨执行官胡国强表示，联电目前在90纳米工艺量产进度及65纳米工艺的试产动作，表现都超出预期，可望在2006年第二、第三产生不少营收贡献
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