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据Reed-Electronics网站报道，中芯国际（SMIC）日前称其将于年底前在上海新落成的300mm生产线上制造65纳米工艺产品。该生产线上80％的部分已通过的65纳米的工艺测试。中芯国际计划在该生产线上生产2Gb NAND闪存和8Gb存储器。中芯国际另一条位于北京的300nm生产线也开始制造90纳米工艺产品，为E
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47308-10
siliconblue宣布，针对手持式超低功耗应用的65纳米sram技术fpga量产出货。本次发表的产品包括ice65l02、ice65l04以及ice65l08，其它同系列的产品也会于几个月内跟进。
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36108-10
Altera公宣布发售EP3C120——最新的低成本65-nm Cyclone® III FPGA系列中的产品。
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19908-10
抢在台积电之前，联电日前率先与合作伙伴美高森美(Microsemi)共同发布首款采用65奈米嵌入式快闪(EmbeddedFlash,eFlash)制程技术生产的现场可编程门阵列(FPGA)平台，让eFlash制程技术顺利迈入65奈米世代，对其未来进一步拓展汽车、工业、医疗及航天等半导体市场将大有帮助。美高森美系统单芯片产品事业群资深营销及业务副总裁JayLegenhausen表示，65奈米eFlash技术对该公司产品安全性、可靠性与整合度的提升均大有帮助。甫于日前收
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65008-10
德州仪器（TI）与美国国家半导体（NationalSemiconductor）今日宣布已签署最终协议，根据该协议德州仪器将以每股25美元、总额约65亿美元的现金价格收购美国国家半导体。
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77808-10
CadenceVirtuoso解决方案和UMC的65纳米RFFDK能够对高速发展的IC市场中的设计师提供支持，例如无线通信等。这些技术为时下数字和混合信号设计前所未有的紧密结合提供了高级工艺。供应情
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51408-10
pnp集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):25集电极最大电流ic(max)(a):5直流电流增益hfe最小值(db):45直流电流增益hfe最大值(db):180最小电流增益带宽乘积ft(mhz):65总功耗pd(w):12.500封装/温度(℃):3dpak/-65~150价格/1片(套):￥2.35
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37308-10
npn集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):25集电极最大电流ic(max)(a):5直流电流增益hfe最小值(db):45直流电流增益hfe最大值(db):180最小电流增益带宽乘积ft(mhz):65总功耗pd(w):12.500封装/温度(℃):3dpak/-65~150价格/1片(套):￥2.40
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26408-10
npn集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):25集电极最大电流ic(max)(a):5直流电流增益hfe最小值(db):45直流电流增益hfe最大值(db):180最小电流增益带宽乘积ft(mhz):65总功耗pd(w):12.500封装/温度(℃):3dpak/-65~150价格/1片(套):￥2.35
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34408-10
