【新品播报】Fairchild推出双N沟道和单N沟道MOSFET

飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)推出fdma1024nz和fdma410nz 双n沟道和单n沟道mosfet器件，可为手机、电动牙刷和须刨等应用延长电池寿命。

【解决方案】噪声与THD+N

;;; 尽管CCIR/ARM测量法成本低，并且有效，但也833H-1A-C-12V存在问题。设计良好的电路，产生的失真很小。这样一来，这些失真就可以与电路本身产生的噪声相比。当我们使用失真仪来进行THD测量时，如何知道我们测到的不是噪声呢？;;; 一种可行的方法是利用示波器，观察失真残余信号。如果显示的波形很清晰，那么，说明我们测到的大部分是失真。如果难于把周期性信号分辨出来，那么，说明我们测到的

【 】N相时钟源

【 】小数N分频或整数N频率合成器

ADF4150HV的是3.0 GHz的，小数N分频或整数N频率合成器与集成的高电压电荷泵 。合成器可用于直接驱动外部的宽带VCO的小号，无需运算放大器，实现更高的调谐电压。

【解决方案】30VN通道MOSFET

NexFET功率MOSFET已被包括在网络中的负载点同步降压，电信和计算机系统设计的CSD17551Q3A的电源转换applications.Applications的损失降到最低。它是控制FET的应用进行了优化。

【解决方案】什么是pre-N？

什么是pre-N？，什么是pre-N？ 不管您看到的是Pre-N、pre-N还是PreN，这些指的都是同一件事情，那就是宣称使用跟802.11n“相类似技术”的无线网络产品，所以称为pre-N。由于802.11n的技 什么是pre-N？ 　　不管您看到的是Pre-N、pre-N还是PreN，这些指的都是同一件事情，那就是宣称使用跟802.11n“相类似

【技术资讯】AndroidN更新哪些内容?AndroidN更新详情汇总

今天凌晨，在加州举行的Google 2016 I/O开发者大会上，谷歌正式公布了其最新的移动操作系统--AndroidN。关于新系统，谷歌官网技术文档实在繁杂，下面我们就为大家带来AndroidN的更新详情。1、性能改进 系统大提速据谷歌官方PPT显示，AndroidN操作系统代码量减少50%、全新JIT编译器安装速度提升75%，并减少50%应用程序代码，且应用运行速度提升幅度高达600%。

【技术资讯】三菱MRE-2163W/216W-N、MRE-2163G/2163G-N电冰箱

【解决方案】N沟MOS晶体管

N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MO

【新品播报】N沟道功率MOSFET

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【技术资讯】100VN沟道MOSFET电信

AON6290提供了出色的开关性能与关键的数字值得为RDS的 * QG 的RDS * 连续供墨系统和RDS的 COSS是5％，3％和50％，比目前的主要竞争对手更好，分别。这一业绩的好处是电源设计者不需要妥协的交换性能，以获得低导通电阻的好处。这些器件可在一个紧凑的尺寸DFN5×6绿色包装是100％的Rg和测试研究所。

【解决方案】制作N型半导体

此类存在多余自由电子的半导体称为N型半导体，如图3. 37所示。;;;;;;;;;;;;;;;;;; ;;; 制作P型半导体。在硅晶体中加入铟等3价原子