【技术资讯】高通推出N-Stream WLAN WCN1320芯片

　　美国高通公司(Qualcomm)日前推出了N-Stream WLAN WCN1320 芯片，这也是业界首个采用4×4 MIMO技术的双频段802.11n标准的WLAN解决方案。

【技术资讯】N沟道芯片级功率MOSFET Si8800EDB

日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出业界最小和最薄的N沟道芯片级功率MOSFET---Si8800EDB，该器件也是面积低于1mm2的首款产品。

【技术资讯】量子计算机：提速N亿倍

现有设备需要花费数百万年时间才能处理的数据，未来设备只需要几天就能完成。IBM和Google的工程师们声称，他们离制作出这种未来计算机已经更近了一步。　　对于世界上最早的可编程电子计算机， 我们如今尚存的记忆主要是它的代号“Colossus”。古希腊和罗马人用这个词来指巨大的雕像，而最著名的巨像要数作为世界七大奇迹之一罗德岛

【技术资讯】Vishay推出500VN沟道功率MOSFET：SiHF8

Vishay推出500VN沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款500VN沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的开关速度和损耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3适用于ZVS拓扑，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，栅极电荷为34nC。SiHF8N50L-E3改善了反向恢复特性，从而能够更好地抵御EMI，实现更高的效率，同时避免出现导致MOSFET烧毁的内部体二极管恢复故障。Vishay今天推出的新MOSFET

【新品播报】N4814 彩显行输出变压器

【用　途】 行输出变压器【性能 参数】1-5 3-8-9 【互换 兼容】0X151

【 】采用4017B构成的n分频器

【 】N相节拍脉冲源

【新品播报】Vishay推190VN通道功率 MOSFET SiA850DJ

vishay intertechnology宣布推出业界首款带有同体封装的 190v 功率二极管的190vn通道功率 mosfet --- sia850dj，该器件具有 2mm×2mm 的较小占位面积以及

【技术资讯】飞兆出N沟道低RDS值MOSFET

本站讯飞兆半导体(FairchildSemiconductor)针对DC/DC转换推出5种N沟道40VMOSFET，分别为FDS4770、FDS4470、FDS4780、FDS4480和FDS4672A

【 】N型热电偶的应用电路

图3-1是N型热电偶的应用电路。它采用了斩波稳零放大器△ＵBE冷接点的补偿电路及数字控制的线性环路。因此，无需调整，在4一373K的热力学温度范围内，该电路输出的满标度误差为士3%。