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VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET---SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，该
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73008-10
图中所示是用C182进行一级N分频的应用线路.0输出端接到PE端,CF端接高电平,INH接低电平,当计数器在时钟脉冲作用下作减法计数,MR应外于计数状态,一旦QA~QD为"0"时,0输出跳变为"1"送到
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toshiba ssm3k318tn沟道功率mosfet是小型尺寸，非常适合将电池电压提升到需要打开led阵列的电压，具有更高效率的高速开关和低导通电阻(rds(on))。ssm
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29108-10
N沟道MOS管的结构及工作原理N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理 结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。
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日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAKSC-75封装、提供8V～30VVDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。已经发布的SiliconixSiB414DK是首款8V单N沟道功率MOSFET，也采用PowerPAKSC-75占位的封装，30VSiB408DK和20VSiB412DK的加入进一步壮大了该产品系列。
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威盛公司推出了一款体积小巧的嵌入式处理器“Eden-N”，大小为15mmx15mm，耗电量最低为4W，据称是是世界上最精小、功耗最低，同时也是最安全的x86处理器。与威盛采用130纳米技术生产的C3系列处理器相同，“Eden-N”处理器同样采用其“Nehemiahx86”处理器内核。
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