【技术资讯】10G EPON将在FTTB/C/N率先应用

目前，主流PON技术已经取得了明显进展并开始规模部署。EPON技术在技术标准、设备功能与性能、互通性、产业链、成本方面都有了突破性进展，已经在国内外运营商的FTTH接入网建设及光进铜退接入网改造过程中得到大规模部署;GPON技术在标准、核心元器件、设备功能与性能、设备成本等方面也取得了较大进展，国内外运营商也开始进行GPON试商用或者商用。这都标志着第二代PON技术(第一代是指传统的窄带PON)的

【 】P型半导体和N型半导体

根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体可分为， P型半导体（或空穴型半导体）和N型半导体（或电子型半导体）两大类。这里"P"是指"正"的意思， "N"是指"负"的意思。（一）

【技术资讯】Wi-Fi联盟新推Wi-Fi CERTIFIEDn版本

“全球Wi-Fi热点呈现了爆发式增长，而中国表现尤为明显。受运营商推广策略的影响，中国今年将建成28.5万个Wi-Fi热点的铺设”。近日，Wi-Fi联盟首席执行官EdgarFigueroa在北京向媒体介绍了Wi-Fi联盟的新进展，不仅包括最新推出的技术版本Wi-FiCERTIFIEDn，他还谈及了Wi-Fi技术的最新进展。预期802.11n将主导WLAN全球市场“据保守估计，在未来几年内802.11n设备出货量将达到10亿部。新的802.11n协议能够支持更广的服务范围，同时提升

【技术资讯】全新30V MOSFET 的N沟道器件OptiMOS-T2

基于英飞凌适用于功率MOSFET的功能强大的第二代沟槽技术，OptiMOS-T2器件成为大电流汽车电机驱动应用、电动助力转向（EPS）系统和汽车启停系统的理想解决方案。出于成本和效率原因，整个行业都开始转向沟槽设计。OptiMOS-T2等功率MOSFET沟槽技术相对于以往的技术，在通态电阻和栅电荷方面实现了大幅改进。这使得优值系数（FoM=栅电荷x通态电阻）达到业界最低水平。此外，英飞凌创新的大电流“Powerbond”技术可解决MOSFET键合引线

【解决方案】N沟道结型场效应管的结构

N沟道结型场效应管的结构结型场效应管的结构示意图及其符号如图4-1所示。其中图4-1a为N沟道JFET的结构示意图。图4-1结型场效应管的结构及符号(a)N沟道JFET的结构(b)P沟道JFET的结构(c)JFET的符号如图4-1a所示，FET也有三个电极分别称为栅极G、源极S和漏极D。两个PN结之间的N型区域称为N型导电沟道，简称N沟道，其符号如图4-1c所示。如图4-1b所示为P型沟道JFET的结构示意图，其符号如图4-1c所示。

【 】n倍负电压输出的应用电路

n倍负电压输出的应用电路将多个nju7660采用级连的方法可实现n倍负电压输出。图4是n倍负电压输出的应用电路。

【技术资讯】100V 高速同步N沟道 MOSFET 驱动器

Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 级版本，该器件是一款高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 栅极驱动器，为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端N

【新品播报】CP543A-P/N乐华 21"行输出变压器

【用　途】 行输出变压器【性能 参数】1-2-3 4-5-7-8-9 【互换 兼容】0834

【技术资讯】长虹HLR32/N中央空调故障代码

代码故障定义代码故障定义L0通讯故障（集中控制器不能接收室外控制单元信号）H5压缩机堵转保护Ll通讯故障（室外控制单元不能接收集中控制器信号）F6水流开关异常El空调出水温传感器异常PO水泵过载E2室外温度传感器异

【技术资讯】A/N卡均惨跌 显卡市场萎靡

Jon Peddie Research(JPR)今天公布了2012年第四季度全球显卡市场统计报告。在整个产业不景气的前提下，显卡领域自然没什么尽头，出货量同比锐减了11.5%，大大高于PC行业5.6%的跌幅。如果对比此前的第三季度，则出货量减少了8.2%%，PC行业则倒退了2.8%。尽管如此，JPR仍然对显卡行业的前景感到乐观，认为2012-2016年的年复合增长

【解决方案】采用P沟MOSFET和N沟MOSFET的电路

;;; 图10.16是采用P沟MOSFET和N沟MOSFET的源极XC9572-15PC44C接地开关电路构成的H电桥。但是N沟FET与P沟FET为器件导通所要求的驱动电压的极性是相反的(N沟器件栅极电位为H时导通，P沟器件为L时导通)，所以图10.16的电路与图10.7的电路中驱动电路的构成

【 】N级并联输入低噪声放大器