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MMA1220D

来源:-- 作者:-- 浏览:710

标签:

摘要:【用 途】 加速度测量电路 【性能 参数】   采用SOIC-16封装,电源电压范围为4.75~5.25V,典型值为5V;电源电流为5.0mA;其测量范围为0~11g;0g所对应的输出电压VooF=VDD/2=2.5V;灵敏度S=250mV/g;输出阻抗为300Q;非线性为(-1.O%~+3.O%)FS;工作温度范围为-40

【用 途】 加速度测量电路 【性能 参数】

  采用SOIC-16封装,电源电压范围为4.75~5.25V,典型值为5V;电源电流为5.0mA;其测量范围为0~11g;0g所对应的输出电压VooF=VDD/2=2.5V;灵敏度S=250mV/g;输出阻抗为300Q;非线性为(-1.O%~+3。O%)FS;工作温度范围为-40~+85℃。此外,还具有自检和自校准功能。内部包含微型硅电容式加速度传感器、CMOS信号调理器、贝塞尔(Bessel)滤波器、温度补偿、自检和故障检测等。

引脚排列图:

MMA1220D引脚排列图


【互换 兼容】

  MMA1220D的内部结构方框图见下图,主要包括加速度传感器(G- Cell Sensor)、积分器(Integrator)、放大器(Gain)、贝塞尔滤波器(FiLTEr)、温度补偿电路及输出级(TempComp)、时钟发生器(CLOCk Gen)、振荡器(Oscillator)、控制逻辑和EPROM的调整电路(Con-trol LogIC&EPROM Trim Circuits)与自检电路(SELF - TEST)。

MMA1220D内部方框图

  加速度传感器的物理模型与等效电路如下图所示。加速度传感器是采用硅半导体材料制成的电容传感器,有三个极板,能构成两只背靠背的电容。上下两个极板是固定的,分别接A、B端;中心极板是可动的,接O端。当受到振动或冲击时,中心极板就发生移位,CAO和CBO的电容量C1、C2随极板之间距离的变化而改变。当受到向上的加速度时(如图1.8.10所示),中心极板在惯性力的作用下使得CAO和CBO的电容量变化,从中可获取加速度信号。该信号经过积分器和放大器,送至贝塞尔滤波器。贝塞尔滤波器能提供一个平坦的延时响应,可保证脉冲波形的完整性。由于该滤波器采用了开关电容技术,故不接外部阻容元件也可设置滤波器的截止频率。

加速度传感器的物理模型与等效电路



  由MMA1220D构成的典型加速度计应用电路如下图所示。C.为电源去耦电容。

  引脚端5(Vout)输出的加速度计电压,由R1和C2构成低通滤波器滤波后输出。引脚端4(ST)连接到高电平时,在上升沿时刻可使芯片初始化(复位)。引脚端6(STATUS)检测到故障时,输出高电平信号。

MMA1220D应用电路



  利用重力加速度校准MMA1220D的方法如下图所示。当MMA1220D水平正放时,传感器的输出电压对应于+1g的重力加速度,VOUT=2.75V;当MMA1220D水平倒放时,传感器的输出电压对应于-1g的重力加速度,VOUT=2.25V;当MMA1220D垂直放置时,传感器的输出电压对应于Og的重力加速度,VOUT=2.50V。

利用重力加速度校准MMA1220D的方法


型号 厂商 价格
EPCOS 爱普科斯 /
STM32F103RCT6 ST ¥461.23
STM32F103C8T6 ST ¥84
STM32F103VET6 ST ¥426.57
STM32F103RET6 ST ¥780.82
STM8S003F3P6 ST ¥10.62
STM32F103VCT6 ST ¥275.84
STM32F103CBT6 ST ¥130.66
STM32F030C8T6 ST ¥18.11
N76E003AT20 NUVOTON ¥9.67
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