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半导体行业观察第一站
据eNet硅谷动力报道，全球闪存巨头韩国三星电子公司近日宣布，已经利用30纳米半导体工艺制造出了64GB闪存芯片。这是全球第一块64GB的NAND闪存芯片。 三星表示，他们利用30纳米的最先进的半导体工艺研制了这种高容量的闪存芯片。目前，该公司在普通闪存芯片的制造中一般采用50纳米工艺。 三星在一份声明中表示，64GB产品意味着闪存行业在容量方面又跨越了一步。高容量闪存将满足日益膨胀的消费电子
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35708-10
韩国海力士半导体开发出存储容量2Gbit的移动DRAM（）。使用54nm工艺技术进行制造。预定2009年上半年开始量产。适用于便携式网络终端（MID：mobileinternet device）和UMPC（Ultra-Mobile PC）等。 电源电压为+1.2V。每个端子的最大数据传输速度为400Mbit/秒。例如，使用32bit总线时的芯片整体最大数据传输速度为1.6GB/秒。遵循JEDEC（JointElectron Device Engineering Council）的标准规格。配备海力士的"One Chi
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78808-10
日前，GS1 HongKong(香港货品编码协会)、EPC Global Hongkong和香港RFID中心与“2009国际RFID技术与物流、工业、防伪应用展”的组委会签订展会协办协议，成为本届RFID专业展会的重要协办单位，以及香港、海外的展会宣传与展位销售代理机构。 将于6月24日-26日在深圳会展中心开展的2009中国(深圳)国际RFID技术与物流、工业、防伪应用展，是国内最大的关于RFI
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37608-10
国际金融危机对国民经济增长产生严重影响，使得我国机床工具行业的增速急速下滑。同期内，我国机床工具行业完成固定资产投资同比分别增长55.4%、49.0%、48.8%、56.9%和55.8%，表明固定资产投资仍然处在高速增长的态势。目前，机床工具行业存在生产增长率连续下滑和固定资产投资增长率继续快速上升，出现一降一升的相反增长，产生双率背离现象，生产增长率下滑反映出国际金融危机对我国机床工具行业严重影响的现状；固定资产投资快
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90208-10
长期以来，由于全球产业链不成熟，全球大芯片厂商均不生产国产3G制式TD-SCDMA(下简称TD)的芯片。不过，近日中国移动(微博)相关负责人证实，高通(微博)公司最快将在今年第三季度末推出TD芯片。中国移动透露，目前TD终端产品已经初步达到了WCDMA的水平。 高通10月推TD新品 早前，有手机厂商负责人向记者表示，包括高通在内的国际芯片厂商将在8月后大量出产TD芯片。近日，该消息获得
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361708-10
国际半导体设备暨材料协会（SEMI）宣布，2009年第二季度全球半导体制造装置的供货额为26亿9000万美元。比上季度减少13％，比上年同期减少66％。SEMI表示，2009年上半年半导体制造装置的供货额相当于“20世纪90年代前半期的水平”（SEMI总裁兼首席执行官Stanley Myers）。 从不同地区来看第二季度的供货额，台湾、韩国和中国大陆的供货额均比上季度增加。增长率方面，台湾增
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29208-10
据相关媒体报道，英特尔公司官员上周四宣布，位于越南胡志明市的芯片封装测试厂项目已经于3月28日开始动工兴建。 英特尔这座芯片封装厂是在去年十一月份对外宣布的，工厂预计在2009年中期投产。 据美联社报道，该项目占地面积46万平方米，总投资为10亿美元。在工厂建成投入使用之后，英特尔将雇佣四千名当地员工。 这是越南第一座芯片工厂，也是英特尔公司在亚洲的第六座芯片封装测试厂。在半导体产业链中，
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39008-10
2008年11月27日，夏普正式宣布，将与意大利电力公司Enel联手在欧洲开展太阳能电池生产。计划2010年中期生产开始之初的生产能力为480MW，之后有可能扩大到1GW。法国调查公司YoleDeveloppement（以下简称Yole）的数据显示，2008年夏普排名全球太阳能电池生产能力的首位（《PVFabDatabase2008IV日语版》）*1。然而，夏普的实际生产量在2007年被德国Q-Cells公司超过。2008年很有可能被中国的尚德电力（SuntechPower）赶超，从而下滑到
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83708-10
据DigiTimes网站报道，英特尔（Intel）继2006年上半年登场的Core微架构处理器反击成功后，据其最新规划，预计2008年第4季度将会推出全新微架构“Nehalem”，首波出货产品锁定高阶市场、核心代号为“Bloomfield”的4核心处理器，至少有3款型号，紧接着2009年第2季度初前将会再推效能级、核心代号为“Lynnfield”4核心处理器，值得注意的是，Lynnfield将内建
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29808-10
