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/p)kw1 转速： n1=60f1/p2.转子绕组磁势有效值：F2=(m2/2).(0.9*I2N2/p)kw2 转速： 转子电流的频率 f2=sf1 转子磁势F2相对于转子的转速： n2= 60f2/p= 60 sf1/p= sn1= n1-n转子磁势F2相对于空间的转速为 n2+n=（n1-n）+n=n1 结论：定、转子
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28810-01
;;; 图10.16是采用P沟MOSFET和N沟MOSFET的源极XC9572-15PC44C接地开关电路构成的H电桥。如果Tri和Tr3采用P沟MOSFET，驱动电压没右必要像图10.7那样高于电源电压，电路就变得非常简单。但是N沟FET与P沟FET为器件导通所要求的驱动电压的极性是相反的(N沟器件栅极电位为H时导通，P沟器件为L时导通)，所以图10.16的电路与图10.7的电路中驱动电路的构成
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56608-10
电机的“扭矩”，单位是 N·m（牛米）计算公式是 T=9550 *P/n。P是电机的额定（输出）功率单位是千瓦（KW）分母是额定转速n单位是转每分 (r/min)P和n可从 电机铭牌中直接查到。因为Pn都是电机的额定值，故T就是电机的额定转矩了。
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183610-01
在一块N型（或P型）半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（或N型区），就形成两个不对称的PN结。把两个P区（或N区）并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型（或P型）半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极（s）和漏极（d）。夹在两个PN结中间的N区（或P区）是电流的通道，称为导电沟道（简称沟道）。这种结构的管子称为N沟道（或P沟道）结型场效应管。 而图即为结型场效应管共源级放
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81308-10
转矩和转速的关系功率=力*速度P=F*V---公式1转矩(T)=扭力(F)*作用半径(R)------推出F=T/R---公式2线速度(V)=2πR*每秒转速(n秒) =2πR*每分转速(n分)/60=πR*n分/30---公式3将公式2、3代入公式1得：P=F*V=T/R*πR*n分/30=π/30*T*n分-----P=功率单位W， T=转矩单位Nm，n分=每分钟转速单位转/分钟如果将P的
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39910-01
LED发光二极管的发光机理详细图解LED发光二极管的发光机理1.p-n结电子注入发光图1、图2表示p-n结未知电压是构成一定的势垒；当加正向偏置时势垒下降，p区和n区的多数载流子向对方扩散。由于电子迁移率μ比空穴迁移率大得多，出现大量电子向P区扩散，构成对P区少数载流子的注入。这些电子与价带上的空穴复合，复合时得到的能量以光能的形式释放。这就是P-N结发光的原理。P-N结发光的原理图1P-N结发光的原理图2发光的波长或频率取决
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192608-10
应用标准CMOS工艺制作了横向多晶硅p^+p^-n^+结，对其正向电流一电压的温度特性进行了理论分析和实验研究。实验结果表明：横向多晶硅p^+p^-n^+结的理想因子为1．89；在室温附近(T=27℃)，恒定的正向偏置电流(1μA)工作条件下，横向多晶硅p^+p^-n^+结正向压降的温度变化率约为-1．5mV／K，与理论计算值相吻合；并且应用横向多晶硅p^+p^-n^+结正向压降的温度特性，研制成功非致冷红外微测辐射热计，其黑体响应率Rbb(1000K，10
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106308-10
NXP公司的i.MX8MDual／8MQuadLite／8MQuad应用处理器是基于四核Arm?Cortex?
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66903-26
;;; 如图3. 61(a)所示，在一个晶体里TDC-GP1面用两组P型半导体像三明治一样夹住N型使之结合，或者如图3. 62(a)所示，用N型夹住P型的NPN结合半导体就是晶体管（亦称三极管）。可以认为晶体管就是由P+N+P，或者是由N+P+N构成的晶体。下面，我们以PNP结合的半导体为例，分析一下晶体管的工作状况。
关键词：
37808-10
