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国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 AP9用数字代表同类型器件的不同型号.用字母代表器件的类型，P代表普通管.用字母代表器件的材料，A代表N型Ge.B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表N
关键词：
26109-30
结型场效应管是利用半导体内的电场效应工作的，分N沟道和P沟道两种。在一块N型半导体的两侧分别扩散出两个P型区，形成两个PN结，将两个P型区连接后形成一个电极G称为栅极，从N型半导体的上下两端各引出一个电极，其中S称为源极，D称为漏极，由于D、S间存在电流通道，故称为NP沟道结型场效应管的结构与N沟道型类似，它们的结构和电路符号如图所示。
关键词：
23910-01
led是一种半导体元器件，核心是p型及n型半导体组成的芯片。在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。当注入p-n结的载流子数量足够多，就可以实现把电能转换为光能的效果。
关键词：
31608-10
电动机扭距计算公式电机的“扭矩”，单位是N•m（牛米） 计算公式是 T=9549 *P/n。P是电机的额定（输出）功率单位是千瓦（KW） 分母 是额定转速n单位是转每分 (r/min)P和n可从 电机铭牌中直接查电动机扭矩单位及换算电机扭矩即电动机的输出扭矩，为电动机的基本参数之一。常用单位为N*m（牛*米）。其它还包括:mN*m(毫牛*米)、KN*m(千牛*米)、
关键词：
82110-01
晶体三极管由N-P-N（或P-N-P）三个区组成，从而形成两个PN结，如图所示。图1 NPN型晶体三极管的结构简图以及电路符号为实现电流放大作用，在结构上要求集电区N的面积最大，且多子—电子的浓度最低；发射区N的面积次之，而多数载流子—电子的浓度最高；基区P的宽度要窄，多子—空穴的浓度较低
关键词：
208110-01
LED是一种半导体元器件，核心是p型及n型半导体组成的芯片。在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。当注入p-n结的载流子数量足够多，就可以实现把电能转换为光能的效果。
关键词：
53308-10
在一个低掺杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂P区，在P区与N区接触面形成PN结，就构成单结晶 单结晶体管的结构和等效电路 单结晶体管的外形图如图1所示。在一个低掺杂的N型硅棒上利用扩散工艺形成一个高掺杂P区，在P区与N区接触面形成PN结，就构成单结晶体管(UJT)。
关键词：
60608-10
因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向 截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图1所示假设发光是在P区中发生的，那么
关键词：
140208-10
