【技术资讯】n-GaAs和P-GaN晶片的直接键合

【新品播报】CP5439-P/N乐华 21"行输出变压器

【用　途】 行输出变压器【性能 参数】1-2-3 4-5-7-8-9 【互换 兼容】0834

【技术资讯】Al-N共掺P型Zn0.95Mg0.05O薄膜的性能

　　利用直流反应磁控溅射法，以N2O为N掺杂源，用Al-N共掺技术制备了P型Zn0.95Mg0.05O薄膜．用X射线衍射分析（XRD）、Hall测试仪和紫外可见（UV）透射谱等研究方法对其晶体结构、电学性能和禁带宽度进行分析．XRD分析结果表明，Zn0.95Mg0.05O薄膜具有良好的晶格取向，Hall测试的结果所得P型Zn0.95Mg0.05O薄膜最低电阻率为58．5Ω?

【 】全面剖析LED灯具技术

发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n

【新品播报】P2103NV

【用　途】 场效应对管【性能 参数】N沟+P沟 30V 7A(N沟) 6A(P沟) 2W 带阻尼【互换 兼容】

【技术资讯】有机电子渐热，有机CMOS晶体管问世

NovaledAG（德国，德累斯顿）通过采用其自主研发的p型和n型掺杂剂成功地开发出了基于单层并五苯（Pentacene）半导电层的p型和n型场效应管。这项掺杂技术将促进数字有机电子的发展。Novaled表示，当前的大多数开发都是基于并五苯（一类有机材料，通常仅用于p型晶体管的半导体层）展开。通过在晶体管源极或漏极接点加薄薄的一层p型或n型掺杂剂，晶体管变成纯P型或纯N型，抗噪性增强、待机时的耗电量也有所降低。p型及n型晶体管当前

【技术资讯】德国Novaled开发CMOS型有机晶体管

NovaledAG（德国，德累斯顿）通过采用其自主研发的p型和n型掺杂剂成功地开发出了基于单层并五苯（Pentacene）半导电层的p型和n型场效应管。这项掺杂技术将促进数字有机电子的发展。Novaled表示，当前的大多数开发都是基于并五苯（一类有机材料，通常仅用于p型晶体管的半导体层）展开。通过在晶体管源极或漏极接点加薄薄的一层p型或n型掺杂剂，晶体管变成纯P型或纯N型，抗噪性增强、待机时的耗电量也有所降低。p型及n型晶体管当前所

【解决方案】电机转速、扭矩和功率计算公式 -解决方案-

转速公式：n＝60f/P(n＝转速，f＝电源频率，P＝磁极对数)扭矩公式：T=9550P/nT是扭矩，单位N·mP是输出功率，单位KWn是电机转速，单位r/min扭矩公式：T=973P/nT是扭矩/P(n＝转速，f＝电源频率，P＝磁极对数)扭矩公式：T=9550P/n T是扭矩，单位N·m P是输出功率，单位KW n是电机转速，单位r/min扭矩公式：T=973P/n T是扭矩，单位Kg·mP

【技术资讯】有机电子渐热 有机CMOS晶体管即将问世

NovaledAG（德国，德累斯顿）通过采用其自主研发的p型和n型掺杂剂成功地开发出了基于单层并五苯（Pentacene）半导电层的p型和n型场效应管。这项掺杂技术将促进数字有机电子的发展。Novaled表示，当前的大多数开发都是基于并五苯（一类有机材料，通常仅用于p型晶体管的半导体层）展开。通过在晶体管源极或漏极接点加薄薄的一层p型或n型掺杂剂，晶体管变成纯P型或纯N型，抗噪性增强、待机时的耗电量也有所降低。p型及n型晶体管当前所

【解决方案】AltiumDesigner入门使用小技巧

例如：SOIC库分为L、M、N三种。L、M、N--代表芯片去除引脚后的片身宽度，即芯片两相对引脚焊盘的最小宽度。其中L宽度最大，N次之，M最小。--这里选择名称为SOIC_127_M的一组封装为例，选择改组中名为SOIC127P600-8M的封装。其中，127P --

【技术资讯】尚朋堂SR-CH2008W电磁通电无反应

看CPU旁边有个三脚8M的晶振，拆下晶振用二脚8M的晶振接入(二边脚)，试机指示灯亮了，只是按键功能错乱，看来就是这个晶振的故障，因没有三脚8M的晶振，只好又装回拆下的三脚8M晶振，再把二脚8M的晶振并联接入二边脚

【解决方案】P沟MOS晶体管

P沟MOS晶体管P沟MOS晶体管金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反