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因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区。假设发光是在P区中发生的，那么注入
关键词：
39709-30
（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mmx0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8VN沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDBTrenchFET®功率MOSFET所用的MICROFOOT®
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39508-10
场效应管N沟道和P沟道判断方法 （1） 场效应管的极性判断，管型判断（如图） G极与D极和S极正反向均为∞ （2） 场效应管的好坏判断 把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚
关键词：
243005-13
对于LS7261/LS7262，将5脚连接到电源v铝正极，电路六个输出FET均变为源极输出。图3一】a～图3-12表示不同的电平转移电路，以适应不同的功率开关组合。图310适用于PNP和NPN晶体管组合电路，这里只表示一个桥臂情况。它利用V．作电平转移，当2脚输出为高电平时，V．导通，经托向V。管提供基极驱动电流，使v。导通。若2脚为低电平，v．管截止，由R.作用使V。快速截止。V：
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76808-10
空压机加、卸载供气控制方式存在的电能浪费 2（1）交流异步电动机的转速公式为:n=60f(1-s)/p其中n电机转速 f运行频率;p电机极对数 s转差率; &
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32908-10
LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件(LED灯)，LED发光的原理主要在于LED芯片的P-N结。一般来说，半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结(LED电视)。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P
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271408-10
根据前面分析可知，TA8690系列双制式（P/N）彩色电视机单片小信号处理集成电路，其（32）脚为N制色调调整兼外接P/N制手动控制开关，（41）脚为延迟色度信号输入兼外接50Hz/60Hz手动场频控制开关这两脚的电压在高电平时为N制，低电平时转为P制。检查（41）脚外接的色度延时线发现漏
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33508-10
LED芯片是由P层半导体元素，N层半导体元素靠电子移动而重新排列组合成的PN结合体。LED芯片是五大原物料：芯片，支架，银胶，金线，环氧树脂中最重要的组成部分。 主要由金垫、P极、N极、PN结、背金层构成（双pad芯片无背金层）组成。 我们先来初步?t解LED芯片的发光原理：在芯片被一定的电压施加正向电极时，正向P区的空穴则会源源不断的游向N区，N区的电子则会相对于孔穴向P区运动。在电子，空穴相对移动的同时，电
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173708-10
太阳光照在半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结电场的作用下，空穴由n区流向p区，电子由p区流向n区，接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。
关键词：
47008-10
当PN结加上外加正向电压，即电源的正极接P区，负极接N区时，外加电场与PN结内电场方向相反。在这个外加电场作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，当P区空穴进入PN结后，就要和原来的一部分负离子中和，使P区的空间电荷量减少。同样，当N区电子进入PN结时，中和了部分正离子，使N区的空间电荷量减少，结果使PN结变窄，即耗尽区由厚变薄，由于这时耗尽
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30209-30
绝缘栅场效应管(IGFET)的基本知识1.增强型NMOS管s：Source源极，d：Drain漏极，g：Gate栅极，B：Base衬底，在P型衬底扩散上2个N区，P型表面加SiO2绝缘层，在N区加铝线引出电极2.增强型PMOS管在N型衬底上扩散上2个P区，P型表面加SiO2绝缘层，在二个P区加铝线引出电极。PMOS与NMOS管的工作原理完全相同，只是电流和电压方向不同。
关键词：
310108-10
