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LED是一种半导体元器件,核心是p型及n型半导体组成的芯片。在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层,称为p-n结。当注入p-n结的载流子数量足够多,就可以实现把电能转换为光能的效果。
关键词:
18106-10
当PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,负极接P区。外加电场方向与PN结内电场方向相同,PN结处于反向偏置。在反向电压的作用下,P区中的空穴和N区中的电子都将进一步离开PN结,使耗尽区厚度加宽,PN结的内电场加强。这一结果,一方面使P区和N区中的多数载流子就很难越过势垒,扩散电流趋近于零。另一方面,由于内电场的加强,使得N区和P区中的少数载流子更容易产生漂移运动。这样,流过PN结的电流由起支配地
关键词:
23409-30
1.结构 下图中示出了N沟道结型场效应管的结构示意图以及它在电路中的符号。在一块N型硅棒的两侧,利用合金法、扩散法与其他工艺做成掺杂程度比较高的P型区(用符号P+表示),则在P+型区和N型区的交界处将形成一个PN结,或称耗尽层。将两侧的P+型区连接在一起,引出一个电极,称为栅极(G),再在N型硅棒的一端引出源极(S),另一端引出漏极(D),见图(a)。如果在漏极和源极之间加上一个正向电压,即漏极接
关键词:
36410-01
太阳能电池的原理:阳光照在半导体p-n结上,形成新的空穴-电子对,在p-n结电场的作用下,空穴由n区流向p区,电子由p区流向n区,接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。
关键词:
45208-10
太阳光照在半导体p-n结上,形成新的空穴-电子对,在p-n结电场的作用下,空穴由n区流向p区,电子由p区流向n区,接通电路后就形成电流。这就是光电效应太阳能电池的工作原理。
关键词:
28808-10
根据P-n结的整流原理,当p区加正电位,n区加负电位后.势垒高度下降,势垒区变窄,阻止n区电子和p区空穴的能力下降,因而通过的电流增加,这时电流随外加电压呈指数关系上升,当外加电压方向反问时,势垒高度增加如果光子在P-n结附近激发了电子—空穴对,
关键词:
21110-17
LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件(LED灯),LED发光的原理主要在于LED芯片的P-N结。一般来说,半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结(LED电视)。当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量而
关键词:
106708-10
来料最大厚度:5mm;成品最小厚度:0.2mm最大张力:100000kg;最大轧制速度:240m/min最大卷径:1400mm;最小卷径:500mm最大轧制力:400000kg二.主要电气设备参数主机电机P=759KW,U=660V,I=1250A,n=355/1050rpm,If=12.1A左卷取电机(两台机械并联)P=166KW,U=400V,I=468A,n=540/1600rpm,If=12.9A/4.6A右卷取电机(两台机械并联)P=225KW,U=400V,I=468A,n=540/1600rpm,If=12.9A
关键词:
88708-10
;;; 内建电场引起少CB1AF-P-12V子漂移、阻碍多子扩散。;;; 由于内建电场的方向由N区指向P区,在P区里靠近PN结附近的自由电子将被加速逆着电场向N区移动;而在N区里靠近PN结的空穴也被加速顺着电场向P区移动,如图4-7所示。
关键词:
168808-10
宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 10 月20 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P8VN沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的MICRO FOOT®
关键词:
37308-10