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N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech近日宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALDALD专利之授权许可，以及针对这些化学原料的行销与进阶开发合作关係。最新开发
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52608-10
宣布一家台湾晶圆厂为其28 纳米节点high-k 闸极介电层量产制程选择ASM的Pulsar原子层沉积技术(ALD)工具。该晶圆厂在过去4年也使用ASM的ALDhigh-K和金属闸极
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89908-10
该项目将开发先进的原子层淀积（ALD）材料，用于下一代闪存芯片中。根据合作协议，Aviza将提供ALD相关的专业技术，而Mosel将完成器件设计和工艺集成等任务。
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40408-10
Applied Materials公司正在推出针对其现有单晶圆Centura平台的原子层沉积(ALD)模块。ALD模块据称可以实现用于逻辑和内存器件的基于铪的先进高介电材料。
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40608-10
据EE Times网站报道，ASM International NV日前宣布，Applied Materials主动出价4亿至5亿美元表示收购其原子层沉积(ALD)及等离子体增强化学汽相沉积(PE-CVDASMI在一份声明中表示，剥离ALD与PECVD两大块将改变ASMI目前的发展战略及业务模式。ASMI管理委员会及监督委员会将内部讨论此次收购提议及其影响。公司表示将最晚在6月14日给出公
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96708-10
宣佈其已成功开发一项高速原子层沉积制程，能够为45nm high-K 栅极制程提升一倍氧化鉿(HfO2) 薄膜的产量，进而延伸其於关键原子层沉积(ALD)市场的领导地位。 新的高速ALD制程是专门设计在ASM的Pulsar制程模组上运作，并可使用既有的反应炉设备设计，并透过专利的制程最适化技术达成产能的提升。新的制程已经在多间客户工厂
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45708-10
ALD主板故障的维修 现象：一台电脑CPU是AMD5，主板是ALD。一次开机时，显示其出现图像刷新不彻底的问题，有时甚至不能启动，当听见“嘟、嘟”两声后，显示器一片漆黑。
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21805-13
与史丹佛大学合作进行一项研究计划,目的在於结合扫描式探针显微镜(scanning probe microscope,SPM)与原子层沉积(atomic layer deposition,ALD)技术,以探索新型的奈米元件作出奈米元件的原型并量测其特性,就10nm以下的精细度而言是一大突破,可进行广泛的应用.其重点在於整合ALD(可达到厚度?次奈米精确度的一种薄膜技术)与具有奈米级剖面解析度(lateral res
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73608-10
ASMInternationalN.V子公司ASMAmerica日前宣布推出一个新的原子层沉积(ALD)制程,通过氧化镧(LaOx)及氧化铝(AlOx)高k盖帽层(HighKCaplayers),使32
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36808-10
据Altatech介绍，AltaCVD适合逻辑电路及存储器制造中的等离子体增强MOCVD和ALD技术，其中包括制作高k栅介质、金属电极、高k耦合
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47208-10
2017年12月5日，由北方华创（002371）下属子公司北方华创微电子传来喜讯，其自主研发的国内首台12英寸原子层沉积(AtomicLayerDeposition，ALD)设备进驻上海集成电路研发中
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77103-21
